KRI 離子束產(chǎn)品介紹 柵格離子源（Gridded Ion Sources）
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摘要
KRI 柵格離子源（Gridded Ion Sources）含 KDC 直流考夫曼型 與 RFICP 射頻型 兩大系列，憑借 自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué) 技術(shù)，調(diào)控 100–1200 eV 離子能量 與 10 mA–1000 mA + 寬束流 。KDC 系列（10/40/75/100/160）覆蓋桌面研發(fā)到 300mm 晶圓產(chǎn)線，RFICP 系列免燈絲設(shè)計(jì)提升穩(wěn)定性；支持 Ar、O?等多氣體，集成電源、中和器，快速適配真空鍍膜、刻蝕、材料改性等工藝，為半導(dǎo)體、光學(xué)、MEMS 領(lǐng)域提供 納米級(jí)離子束解決方案 。
產(chǎn)品介紹
KRI 離子束產(chǎn)品介紹
柵格離子源（Gridded Ion Sources）
核心特點(diǎn)
• OptiBeam™ 自對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)
• 可控中和
• 等離子體放電
• 模塊化架構(gòu)
• 適用于惰性、反應(yīng)性和有機(jī)氣體
• 可產(chǎn)生準(zhǔn)直、發(fā)散和會(huì)聚光束
相關(guān)公式
• 平均自由程（目標(biāo)溫度 = 入射溫度）：\lambda=1/\sqrt{2}nQ
• 平均自由程（目標(biāo)溫度 = 0）：\lambda=1/nQ
• 路徑長(zhǎng)度分布：I=I_0\exp(-x/\lambda)
• 德拜長(zhǎng)度：\lambda_D=\sqrt{\varepsilon_0kT_e/n_ee^2}
• 玻爾茲曼方程：n_e=n_{eo}\exp(V_p/kT_e)
• 蔡爾德定律：j=(4\varepsilon_0/9)\sqrt{2e/m}(v^{3/2}/x^2)
• 玻姆電導(dǎo)率：\sigma_B\approx en_e/16
• 溫度 - 能量等價(jià)：1\ \text{ev}=11600\ \text{K}
• 麥克斯韋平均速度：\overline{v}=\sqrt{8kT/\pi m}
應(yīng)用領(lǐng)域
• 離子束輔助沉積
• 原位襯底預(yù)清潔
• 離子束濺射沉積
• 表面改性
• 離子束刻蝕
• 離子束成形
• 表面拋光與平滑
• 離子束微調(diào)與調(diào)諧
柵格系列產(chǎn)品 RFICP 系列
KDC 系列
取決于離子光學(xué)系統(tǒng) ** 可提供其他中和器
柵格離子源優(yōu)勢(shì)
• 低成本
• 工業(yè)級(jí)
• 遠(yuǎn)程等離子體
• 定向光束
• 光束成形
• 精確控制（離子電流、離子能量）
• 自對(duì)準(zhǔn)離子光學(xué)系統(tǒng)
• 適用于惰性和反應(yīng)性氣體
• 離子能量范圍大
• 離子電流密度高
• 可產(chǎn)生準(zhǔn)直、發(fā)散和聚焦光束
無(wú)柵格離子與等離子體源（Gridless Ion & Plasma Sources）
核心特點(diǎn)
• 無(wú)柵格設(shè)計(jì)
• 適用于惰性和反應(yīng)性氣體
• 優(yōu)化配置
• 模塊化陽(yáng)極
• 低能離子
• 高離子電流
• 大工藝區(qū)域
相關(guān)公式
• 平均自由程（目標(biāo)溫度 = 入射溫度）：\lambda=1/\sqrt{2}nQ
• 平均自由程（目標(biāo)溫度 = 0）：\lambda=1/nQ
• 路徑長(zhǎng)度分布：I=I_0\exp(-x/\lambda)
• 德拜長(zhǎng)度：\lambda_D=\sqrt{\varepsilon_0kT_e/n_ee^2}
• 玻爾茲曼方程：n_e=n_{eo}\exp(V_p/kT_e)
• 蔡爾德定律：j=(4\varepsilon_0/9)\sqrt{2e/m}(v^{3/2}/x^2)
• 玻姆電導(dǎo)率：\sigma_B\approx en_e/16
• 溫度 - 能量等價(jià)：1\ \text{ev}=11600\ \text{K}
• 麥克斯韋平均速度：\overline{v}=\sqrt{8kT/\pi m}
應(yīng)用領(lǐng)域
• 離子束輔助沉積（IBAD）
• 原位襯底預(yù)清潔
• 直接沉積涂層
• 表面改性
• 低能離子束刻蝕
• 偏壓靶離子束沉積
eH 系列產(chǎn)品
注：F = 燈絲；HC = 空心陰極；xO_2= 針對(duì)氧氣電流優(yōu)化
線性源（eHL-X 線性配置）
線性 eHL-X 離子 / 等離子體束源適用于安裝在線性移動(dòng)襯底，如在線、卷對(duì)卷涂層和旋轉(zhuǎn)濺射系統(tǒng)。典型應(yīng)用包括原位清潔和離子輔助沉積，其中低能量和高電流是有利的。
• 優(yōu)化均勻性
• 優(yōu)化離子電流劑量
• 最小化長(zhǎng)度
• 用戶可調(diào)節(jié)
• 整體選項(xiàng)
模塊化線性配置具有獨(dú)特的優(yōu)化能力。它使用標(biāo)準(zhǔn)圓柱形端霍爾模塊放置在線性陣列中。模塊的間距和數(shù)量為應(yīng)用提供了強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì)。可以調(diào)整模塊的間距以優(yōu)化電流密度劑量、均勻性和整體長(zhǎng)度。由于這種配置使用一個(gè)電子源和一個(gè)公共電源，集成模塊化線性封裝的成本被最小
電源
所有 KRI 電源均采用先進(jìn)的初級(jí)開(kāi)關(guān)電源模塊，具有輸出控制功能，以保護(hù)電源和負(fù)載。通過(guò)更換或添加模塊，可以輕松實(shí)現(xiàn)從基本配置到高級(jí)配置的升級(jí)。根據(jù)型號(hào)的不同，電源提供交流或直流信號(hào)，輸出功率范圍為 300 至 4000W。
• 具有快速更換電源模塊的模塊化架構(gòu)
• 可靠的電源模塊，專為工業(yè)用途設(shè)計(jì)
• 通過(guò)保護(hù)電路進(jìn)行短路和電弧管理
• 在整個(gè)工作范圍內(nèi)恒定且穩(wěn)定的離子束參數(shù)控制
• 可選擇適合應(yīng)用的操作模式
公司簡(jiǎn)介
自 1978 年以來(lái)，Kaufman & Robinson（KRI）公司一直為真空處理領(lǐng)域的制造商和研究人員設(shè)計(jì)和制造寬束離子源。柵格離子束產(chǎn)品和 eH 離子 / 等離子體束產(chǎn)品的設(shè)計(jì)均基于公司在等離子體物理、離子源設(shè)計(jì)和電源控制工程方面的世界公認(rèn)專業(yè)知識(shí)。
目前，KRI 在離子束和等離子體技術(shù)方面擁有超過(guò) 20 項(xiàng)有效專利，包括其在多孔徑離子光學(xué)技術(shù)和無(wú)柵格端霍爾技術(shù)方面的創(chuàng)新設(shè)計(jì)。
KRI 的產(chǎn)品包括寬束柵格離子源、寬束端霍爾離子源以及自動(dòng)化電源控制器。所有設(shè)計(jì)都簡(jiǎn)單直觀，可輕松改裝到現(xiàn)有真空系統(tǒng)中，或輕松集成到新的 OEM 系統(tǒng)中。
（注：文檔部分內(nèi)容可能由 AI 生成）
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